AP19174589 «Влияние дефектов на атомные и электронные свойства дихалькогенидов переходных металлов на основе платины» Период реализации: 2023-2025 годы

Руководитель проекта: Жусупбеков К.

  Целью данного проекта является исследование нульмерных (0D) и одномерных (1D) дефектов с помощью комплексных теоретических и экспериментальных подходов, включая теорию функционала плотности (ТФП) и сканирующую туннельную микроскопию/спектроскопию (СТМ/СТС). В частности, это исследование будет сосредоточено на дихалькогенидах переходных металлов (ДПМ) на основе Pt.
Для достижения цели проекта необходимо решить следующие задачи:
1. Исследовать атомную структуру ДПМ на основе Pt с помощью СТМ с пикометровым разрешением при температуре 77 K.
2. Изучить электронные свойства ДПМ на основе Pt с помощью СТС с разрешением в миллиэВ при температуре 77 K.
3. Получить изображения точечных дефектов (квантовых систем) в высоком разрешении в ДПМ на основе Pt при температуре 77 K.
4. Охарактеризовать полученные изображения дефектов в высоком разрешении с помощью моделирования с использованием ТФП.
5. Исследовать краевые состояния в ДПМ на основе Pt, провести измерения СТС с высоким разрешением на монослойных и многослойных ступенях чтобы понять их влияние на возникновение краевых состояний.
6. Провести тщательные расчеты ТФП различных краевых состояний для полного понимания

Возврат к списку